Universit

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Università degli Studi di Firenze
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
Microelectronics Laboratory
Tesi di Laurea in Ingegneria Elettronica
Dispositivi ad Effetto Tunnel Risonante
per
Applicazioni alla Spintronics
Sara Bernardis
Prof. G. Manes Prof. G. Frosali Ing. A. Cidronali

Firenze, 28 Aprile 2005
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Obiettivi
Parte Teorica Stato dellarte
raggiunto dalla SPINTRONICS con analisi dei
fenomeni di Meccanica Quantistica coinvolti
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Sommario

• Analisi Fisica del filtro di spin con effetto
  Rashba
• Spintronics
• Spin definizione e proprietà
• Concetti fondamentali di Meccanica Quantistica
• Effetto Rashba

• Analisi del Dispositivo ed Implementazione
  Numerica
• Tunneling risonante ed applicazioni
• Analisi numerica
• Filtri di spin a tunneling risonante con effetto
  Rashba
• Discussione dei risultati

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Spintronics
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Spintronics
Caratteristiche, vantaggi e svantaggi nel
confronto con lelettronica tradizionale
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Spin
Implementazione di dispositivi 1. MTJ ( Magnetic
Tunnel Junction ) La corrente dipende
dallallineamento dello spin sfruttano
listeresi magnetica per immagazzinare dati e la
magnetoresistività per leggerli 2. STRUTTURE A
SEMICONDUTTORE (campo nullo).
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Spin
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Effetto Rashba
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Effetto Rashba
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Scelta dei semiconduttori
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Indagine quantistica del principio di
funzionamento del filtro
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Implementazione di SIA e BIA
CONTROLLO DI GATE per transistor ad effetto spin
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Tunneling risonante interbanda
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Modellizzazione del filtro di spin
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Implementazione numerica delleffetto Rashba
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Discussione dei risultati
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Discussione dei risultati
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Conclusioni

• ricerca in ambito spintronics
• verifica del modello proposto.

e sviluppi futuri