Title: Defect and Fault Tolerance in VLSI
1Defect and Fault Tolerance in VLSI
2FinalitÃ
- Introduzione e descrizione delle problematiche
relative alla resa di produzione, collaudo
e affidabilità  dei componenti e circuiti
elettronici. - Resa di produzione e collaudo Â
- Guasti e resa di produzione
- Generazione automatica dei vettori di collaudo
- Tecniche di progettazione orientate al collaudo
- Metodologie di progetto per garantire
affidabilità durante la vita utile - Misure della affidabilità di un sistema
- Tecniche di progettazione fault tolerant
- Codici a correzione d'errore
3Difetti di produzione e di funzionamento
- Si può distinguere tra difetti di produzione e
difetti di funzionamento - Difetto di produzione è presente al momento
della produzione e causa conseguenza immediate
sul compente che possono causare dei guasti,
esempio - difetti spot
- difetti sistematici
- etc
- Difetto di funzionamento sono difetti che si
attivano dopo un periodo di funzionamento tramite
i cosiddetti failure mechanisms. Esempi - Rottura dellossido di gate
- Contatti e riempimenti delle vie incompleti
- Elettromigrazione
- etc
- I difetti di produzione sono lobiettivo del
collaudo mentre i difetti di funzionamento sono
lobiettivo dellaffidabilitÃ
4Definizioni di Lambda
- Come effetto dei difetti di produzioneÂ
- In fase di produzione  ?  è il numero medio di
guasti sul chip e viene calcolato in base al
risulato dei collaudi e a modelli matematici
sulle dimensioni dei difetti e del layout - Come effetto dei difetti di funzionamento
-  ? o failure rate è la frequenza con cui un
sistema o un componente si guastano ed è espresso
in guasti per unità di tempo (per esempio guasti
in unora). Viene calcolato in base a dati
empirici e modelli sul deterioramento dei
componenti
5Relazione tra guasti ed affidabilitÃ
- La presenza di guasti su un componente in fase di
produzione e lo svilupparsi di guasti su un
componente durante la sua vita utile sono eventi
correlati. - I meccanismi che causano linsorgere dei guasti
possono essere analoghi, ma con un tempo di
attivazione diverso
- Andamento dei guasti n funzione del tempo, la
curva ha un tipico andamento ad U. - Tre fasi
- Mortalità infantile (il failure rate decresce)
- Vita utile (il failure rate è costante)
- Invecchiamento (Il failure rate cresce)
- Il numero di componenti guasti al momento della
produzione può essere visto come leffetto del
failure rate a tempo zero
6Resa di produzione e collaudo Â
- La produzione dei componenti elettronici è
inevitabilmente affetta dalla presenza di
difetti. I difetti possono causare guasti
funzionali (functional faults) che riducono la
resa del processo di produzione. - Il collaudo (test)  è finalizzato a verificare se
la presenza di difetti altera le funzionalitÃ
attese dal componente. - In un lotto di produzione il rapporto tra il
numero di componenti non guasti e il numero
totale di componenti prodotti rappresenta la resa
del processo produttivo (manufacturing yield).
7Flusso realizzativo di un progetto VLSI
Customers need
Determine requirements
Write specifications
Design synthesis and Verification
Test development
Fabrication
Manufacturing test
Chips to customer
8Definizioni
- Sintesi di progetto (Design synthesis) Data una
funzione di I/O, sviluppare una procedura per
produrre un componente usando materiali e
processi produttivi noti - Verifica (Verification) Analisi predittiva che
assicura che quando il progetto sarà sintetizzato
si comporterà seguendo la data funzione di I/O - Collaudo (Test) Un passo del processo di
produzione che assicura che il componente fisico
generato dal progetto sintetizzato non abbia
guasti
9Differenze tra Verifica e Collaudo
- Verifica la correttezza del progetto.
- Fatta tramite simulazione, emulatori hardware o
metodi formali. - Fatta una volta sola prima della produzione.
- Responsabile per la qualità del progetto.
- Verifica la correttezza dellhardware prodotto.
- Il processo si articola in due parti
- 1. Generazione dei vettori di test processo
software che viene eseguito solo una volta per
ogni iterazione del progetto - 2. Applicazione dei test i test elettrici sono
effettivamante applicati allhardware - Ogni componente prodotto passa tramite il passo
della applicazione dei test - Responsabile per la qualità dei componenti
10Layout di un componente VLSI
- Il processo di produzione a strati
- Substrato di silicio su cui vengono realizzati i
transistor - Livelli di metallizazione successivi per il
routing dei segnali e delle alimentazioni. - Connessioni verticali si chiamano via
11Difetti di produzione
- Durante il processo produttivo i componenti
possono essere interessati da - Difetti spot
- ImpuritÃ
- missing material che può causare circuiti aperti
- extra material che può causare corto circuiti
- Difetti sistematici
- Process variation che causa variazioni nelle
specifiche dei transistor - Difetti sulle maschere
12Difetti di produzione
- Gli effetti dei difetti sistematici sono per lo
più presenti nelle fasi iniziali di un nuovo
processo produttivo, per esempio al passaggio a
un nuovo nodo tecnologico come lo scaling da 65
nm a 45 nm. - Parte di questi difetti come per esempio errori
sulle maschere vengono individuati e rimossi col
maturare del processo produttivo. -  Â
- I difetti spot continuano ad interessare il
processo produttivo durante tutta la sua vita e
sono una causa dominante di guasti in un processo
maturo.
13Esempio di Difetti Spot
- I difetti spot possono essere modellizzati come
la presenza di impurità di diametro variabile che
possono essere conduttive o meno. Esempi
14Esempio di Difetti Spot
- Esempi di difetti spot da microscopio elettronico
riportati sullo standard militare Americano
MIL-STD-883G che regola le procedure per il test
dei dispositivi microelettronici destinati ad uso
militare
15Area critica
- Per diventare un guasto un difetto deve essere in
una posizione e dimensione tale da causare
un'interruzione o un corto tra due piste. - Per calcolare la densità di guasti corrispondente
ad una certa densità di difetti viene usata la
definizione di area critica. - Area critica Per un determinato tipo di
 difetto, si definisce area critica Ac(x) l'area
nella quale un  difetto di diametro x deve cadere
per causare un guasto. Se si considera una
distribuzione uniforme dei centri dei difetti la
percentuale di difetti che causano un guasto per
difetti di diametro x è - f(x) Ac(x)/Atot
- dove Atot è l'area toale del chip
16Area critica
- Esempio di area critica per difetti di tipo extra
material
17Area critica
http//www.design-reuse.com/articles/10850/improvi
ng-yield-in-rtl-to-gdsii-flows.html
- Per ottenere la probabilità di guasto l'area
critica deve essere mediata con la funzione di
distribuzione di probabilità delle dimensioni dei
difetti.  - La funzione di distribuzione d(x) è calcolata
empiricamente ed ha un andamento
approssimativamente triangolareÂ
18Densità di difetti
- La probabilità di difetti a raggio nullo è uguale
a 0, raggiunge un massimo e poi ha un andamento
decrescente al crescere del raggio. Se d è la
densità media totale dei difetti di tutte le
dimensioni
Come si vede nella figura comparato allarea
critica di destinazione solo le yield failures
causano guasti, tuttavia guasti più piccoli
possono causare problemi di affidabilitÃ
W. Kuo, W. Chien, T. Kim, Reliability, Yield and
Stress Burn-in 1998
19Lambda
- Facendo la media sui diametri dei difetti con
l'area critica si ottiene il numero di guasti
causati da difetti la cui area è comparabile
allaea critica. - dove    è il numero medio di guasti sul chip.
20Resa Produttiva Definizione
- La resa produttiva (manufacturing Yield)
rappresenta la percentuale di chip funzionanti
sul totale del lotto di produzione. - La resa è una funzione del numero medio di guasti
per chip lambda. - Il die (letteralmente dado) è il componente prima
di essere incluso nel suo packaging - Il chip è il componente nel packaging quando
viene venduto
21Fabbricazione del silicio
- Il Quarzo o Silice, è fatto di ossido di silicio
- La sabbia contiene molti piccoli granelli di
quarzo - Il silicio può essere prodotto artificialmente da
Silice e Carbonio in una fornace elettrica
SiO2 C ? Si CO2 - Questo processo dà un silicio policristallino
(fatto di molti cristalli) - I circuiti integrati di uso pratico richiedono
materiale monocristallino
22Crescita del silicio monocristallino
- Processo Czochralski è una tecnica per creare
silicio monocristallino - Un seme di cristallo solido viene fatto girare e
lentamente estratto da una vasca di Silicio fuso - Richiede un controllo molto accurato per ottenere
cristalli di una voluta purezza e dimensione
www.uta.edu/ronc/4345sp02/lectures/L09a_4345_Sp02.
ppt
23Cilindro monocristallino
- Il cilindro di silicio viene chiamato lingotto
- Un lingotto tipico è lungo circa 1 o 2 metri
- Può essere affettato in centinaia di fette
circolari chiamate Wafer - Ogni Wafer fornisce fino a migliaia di circuiti
integrati
24Produzione del Wafer
- Il cristallo di silicio è affettato in wafer
sottili usando una sega con punte di diamante - I wafer vengono ordinati per spessore
- I wafer danneggiati vengono rimossi durante la
fase di lappatura - La lappatura (lapping) rimuove il silicio di
superficie che si è spaccato o altrimenti
danneggiato durante la fase di affettamento
tramite abrasivi - Dopo la lappatura viene fatto Etching sui Wafer
con prodotti chimici per rimuovere ogni rimanente
danno sul reticolo cristallino - La fase finale di Polish è un processo
chimico/meccanico che livella le superfici
lasciate ineguali dai passi precedenti
25Wafer
- Il wafer è un disco di silicio su cui vengono
ricavati tramite litografia molte copie dei
singoli chip o die
26Wafer
- Dimensioni dei wafer in commercio
- 1 inch.
- 2 inch (50.8 mm)
- 3 inch (76.2 mm)
- 4 inch (100 mm)
- 5 inch (127 mm) or 125 mm (4.9 inch)
- 150 mm (5.9 inch, usually referred to as "6
inch"). - 200 mm (7.9 inch, usually referred to as "8
inch") - 300 mm (11.8 inch, usually referred to as "12
inch" or "Pizza size" wafer). - 450 mm ("18 inch"). (atteso)
27Litografia
http//dot.che.gatech.edu/henderson/Introductions/
microlithography20intro.htm
28Wafer
- I guasti sono distribuiti sul Wafer
- Il numero di guasti riduce la resa
- Esempio
- 26 dies
- 8 guasti
- Yield 18/26 69
29Probabilità di guasto - Poisson
- La funzione di densità di probabilità del numero
di k guasti per chip è tipicamente rappresentata
da una distribuzione di Poisson - nel caso semplice in cui non ci sia ridondanza
nel chip la resa corrisponde alla probabilità che
non ci siano guasti sul chip.
30Effetto di raggruppamento dei guasti
- E' stato provato che la distribuzione di Poisson
che si basa sull'assunzione che la distribuzione
dei guasti sul wafer sia uniforme è in effetti
troppo pessimistica poichè non tiene in conto
dell'effetto di raggruppamento (clustering) dei
guasti notato in produzione
31Probabilità di guasto - Negative binomial
- La funzione che meglio approssima la resa in
presenza di clustring è quella derivata dalla
distribuzione negative binomial ed ha la seguente
formula - dove ? rappresenta l'effetto di clustering ed è
tipicamente considerato circa uguale a 2
nell'industria. - Se ? tende ad infinito la distribuzione diventa
la Poisson.
32Probabilità di guasto - Negative binomial
- Come con la distribuzione di Poisson, nel caso
semplice in cui non ci sia ridondanza nel chip la
resa corrisponde alla probabilità che non ci
siano guasti sul chip.
33Aspetti economici
- Il costo per chip dipende dal costo per die e dai
costi di test e costo di packaging - Ciascuna ci queste componenti deve essere
ottimizzata. - Il Costo per die è funzione della resa produttiva
34Dies per wafer e costo
- il costo di un die è il rapporto tra il costo per
Wafer e il prodotto della resa del wafer e la
resa produttiva - La resa del Wafer è il numero di die che si
ottengono in un wafer ed è data da una formula
geometrica approssimata che considera il rapporto
tra l'area del wafer circolare e i die
 rettangolari
35Dies per Wafer e costo
- Dove
- dw è il diametro del Wafer
- Ad è larea di un die
- Il primo termine è semplicemente il rapporto tra
le aree e il secondo è un termine correttivo che
tiene in considerazione gli effetti di bordo
36Esempio
- Considerando un die di 0.30 cm2 per un
microcontrollore prodotto usando un Wafer di
diametro 300 mm e un costo per un Wafer di 5000
- Considerando una densità di difetti 0.2/cm2 ed
a2, quale è il costo per die?
37Soluzione
- Approssimazione dellarea critica con larea
reale -
- La formula per la resa diventa
- Il numero di die per wafer è
- Pertanto il costo per die è
38Costo per il test
- Il collaudo o test dei componenti elettronici
prodotti viene compiuto tramite luso di apparati
generalmente molto costosi e ad alte prestazioni
chiamati Automated Test Equipment. - Pertanto il costo del test di un componente è
calcolabile in base al costo per lammortamento
(svalutazione) la manutenzione e il funzionamento
dell ATE durante la sua vita utile. - Il Costo annuale viene ridotto a costo per
secondo e moltiplicato per il tempo necessario al
test del singolo componente. Infine il costo
viene ripartito solo sui componenti vendibili
ossia si divide il risultato per la resa
39Costo per il test Esempio
- Esempio dal libro
- Un ATE allo stato dellarte può applicare test a
frequenza maggiori di 250 MHz. - Il costo per lacquisto di un tester è composto
da una parte fissa e da una parte variabile in
base al numer di pin. - Esempio un tester a 500MHz costa 1,2M (1024
pins 3000/pin) 4,272M. - Costo di funzionamemnto annuale Svalutazione
Mantenimento costo di funzionamento 0,85M
0,085M 0,5M 1,439M/anno. - Costo del test per funzionamento ininterrotto
1,439M/(365 24 3600) 4,5 cents/secondo. - Tempo di test per un ASIC digitale 6 secondi o
27 cents. - Per una resa del 65, la parte del prezzo di
vendita dovuto al test è 27/0,65 41,5 cents.
40Tipi di Testing
- Verification testing, characterization testing
- Verifica la correttezza del progetto e delle
procedure di collaudo di solito richiede
correzioni al progetto - Manufacturing testing
- Collaudo di fabbrica di tutti i chip prodotti
per guasti parametrici e difetti casuali - Acceptance testing (incoming inspection)
- Collaudo svolto dai clienti sui chip acquistati
per verificarne la qualitÃ
41Automatic Test Equipment (ATE)
- ATE sistemi complessi e molto costosi ITRS 2003
test-cost predizione del costo per-pin - Short term 1K to 3K (up to 2009)
- Long term 2K to 4K (2010 to 2016)
- Si compone di
- Un computer
- Un DSP
- Un programma di test scritto in un linguaggio di
alto livello che gira sul computer - Probe Head (con i contatti per i pin del chip)
- Probe Card o Membrane Probe (contiene elettronica
di misura dei segnali)
42Il test in sintesi
43Manufacturing Test
- Determina se i chip prodotti rispettano le
specifiche - Può fare il binning delle parti in base alle loro
specifiche - Deve coprire alte percentuali di guasti
- Deve minimizzare i tempi di test (e quindi i
costi) - Non svolge alcuna diagnosi di guasto
- Collauda ogni dispositivo sul chip
- Il test deve avvenire alla velocità cui operano i
dispositivi
44Burn-in or Stress Test
- Processo
- Sottopone i chip a alte temperature e
sovratensioni di alimentazione, durante
lesecuzione di collaudi di produzione - Che cosa rileva
- Casi di mortalità infantile chip danneggiati
che tipicamente si rompono nei primi due giorni
di applicazione questi guasti vengono provocati
intenzionalmente prima che i chip vengano mandati
ai clienti - Freak failures dispositivi con gli stessi
meccanismi di guasto dei dispositivi affidabili
ma che si guastano sotto condizioni di stress per
guasti non tipicamente modellabili con difetti,
ad esempio problemi col wire bonding
45Incoming Inspection(Test di accettazione)
- Può essere
- Simile al test di produzione
- Più esaustiva del test di produzione
- Orientata ad applicazioni specifiche
- Spesso viene fatto su un campione casuale di
dispositivi - Le dimensioni del campione dipendono dalla
qualità dei dispositivi e dalle specifiche di
affidabilità dei sistemi - Evita di inserire dispositivi difettosi in
sistemi dove i costi di diagnosi eccedono quelli
della incoming inspection
46ADVANTEST Model T6682 ATE
47Tipi di test di produzione
- Wafer sort o probe test viene fatto prima che
il wafer sia tagliato nei singoli die - Include la caratterizzazione di alcuni
dispositivi di test che sono inseriti nel wafer
per lo specifico scopo di essere usati per
misurare parametri di produzione come - Tensioni di soglia
- Resistenza del polisilicio
- etc.
- Packaged device tests
- Test dei componenti dopo il loro inserimento nel
packaging.
48Tipi di test
- In generale ogni chip passa attraverso due fasi
di test - Test Parametrico misura le proprietÃ
elettroniche dei pin di I/O ritardi, tensioni,
correnti, etc. veloce ed economico - Funzionale /strutturale usato per coprire una
percentuale molto alta di guasti modellati
collauda ciascun transistor e connessione nei
circuiti digitali lungo e costoso, oggetto
dellATPG
49Analisi dei dati ottenuti dal test
- Utilizzio dei dati provenienti dagli ATE
- Eliminazione dei DUTs malfunzionanti
- Informazioni sul progetto di fabbricazione
- Informazioni sulle debolezze di progetto
- I dispositivi che passano il collaudo sono
sicuramente corretti solo se i vettori di
collaudo coprono il 100 dei guasti - Failure mode analysis (FMA)
- Diagnosi delle cause dei dispositivi
malfunzionanti - Permettono di migliorare il progetto logico e
le regole di layout