CVD(Chemical Vapor Deposition)

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CVD(Chemical Vapor Deposition)

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Fig.1 ??? ?? ????? ??
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Wet, Dry
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CVD(Chemical Vapor Deposition)
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PECVD
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Photo CVD
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Sputtering
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Evaporation
Al,Al??
Ion Plating
2
3
CVD(Chemical Vapor Deposition)
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3
4
CVD(Chemical Vapor Deposition)
Fig.3 ?? ??? ?? ??
Undoped???(SiO2USG)
Si ???
Doped???(PSG,BSG,BPSG)
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Si3N4
Si???
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Ta2O5
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4
5
CVD(Chemical Vapor Deposition)
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Al-Si,Al-Si-Cu,Al-Cu?
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W,Mo,Ti,Co?
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WSi2,MoSi2,TiSi2,CoSi2,TaSi2?
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TiN,TaN?
TiN,TaN?
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Cu
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Doped ? Undoped?
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6
CVD(Chemical Vapor Deposition)
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a (Gas) ß (Gas)
A (Solid) B (Gas)


By-Product
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Gas ???
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6
7
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• 4. CVD?? ??
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7
8
5. CVD ??? ????
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Lamp ??
???
Hot Wall
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Batch Type
Cold Wall
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CVD??
Gas ???
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Controller)
Cylinder / Tank /???
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(Rotary Pump,Dry Pump) (???? ??)
8
9

• 6. CVD System ? ??
• ???? ????? ?? LPCVD ( Low Pressure CVD )
  ? APCVD (Atmospheric Pressure CVD )? ??
• ? ? ???, ????? ?? ???? ?? Thermal, Plasma,
  Photon, Laser CVD? ????, ?? ????
• ?? ?? ?? Hot Wall, ???? ??? ????? ???? Cold
  Wall???? ?? ? ? ???, ????
• ?? ??? ???, ???, Barrel?, ???, ??? ???, ???
  ??? ??? ??? DCVD(Dielectric CVD)
• ,MCVD(Metal CVD)???, ????? ?? ??? MOCVD(Metal
  Organic CVD),MICVD(Metal Inorganic CVD)?,
• ? ???? ?? ??? ???? ??? ???? ALD(Atomic Layer
  Deposition)??? ???? ?? ???
• ?? ???? ?? ? ? ??.

CVD Reactor Parameters
Parameters
Variations
Temperature range
Low, Medium, High
Deposition Pressure
ATM, Low
Reactor geometry / Wall temp.
Hot wall, Cold wall
Energy Source
Temp. , R.F , UV-light
Deposition film
Dielectric , Metal
Reactant / Carrier gases
Metal Organic, Inorganic
9
10
Fig. 4 CVD System ? ??
CVD
APCVD
LPCVD
Thermal CVD
PECVD
Photon CVD
Thermal CVD
Hot Wall
Cold Wall
Hot Wall
Hot Wall
Cold Wall
Cold Wall
???
???
???
???
???
???
???
10
11
CVD?? ?? ?
?? ??
?? Parameter
Thermal CVD
Reactor? ??? ????? ?? ? ?? ??? ????? ??
Plasma Enhanced CVD? Reactor? ????? ???
??? Plasma??? ???? ??? ???? ???? Thermal CVD ??
???? ????? ???.

PE CVD
????
Laser?? ???? ?? ????? ????? ?? ? ??? ??? ??
Photo CVD
AP CVD
Atmospheric Pressure CVD

??
??
LP CVD
Low Pressure CVD
Metal Organic CVD? ???? ????? Metal??? Carbon,
???? ???? ???? ???? ??. ????? ???? ??? ???? ???
????? ?? Reactor? ????.
MOCVD
????
Ex) 2Ta(OC2H5)5 O2 -gt Ta2O5(s) Others
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?? CVD?? ??? ? ????
Process
Advantages
Disadvantages
Applications
- Simple reactor
APCVD
- Poor step coverage
- Low temp oxides, both
- Fast deposition
(Low Temp)
- Particle contamination
doped and undoped
- Low temperature
- High temp oxide
- Excellent purity uniformity
- High temperature
- Silicon nitride
LPCVD
- Conformal step coverage
- Low deposition rate
- Poly-Si
- Large wafer capacity
- W, WSi2
- Low temperature
- Chemical and particle
- PMD(pre metal dielectric)
PECVD
- Fast deposition
contamination
- Passivation nitride
- Good step coverage
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