Trans

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Transístor bipolar
?
O termo Transístor resulta da aglutinação dos
termos ingleses TRANsfer reSISTOR (resistência
de transferência). O termo bipolar refere-se ao
facto dos portadores electrões e lacunas
participarem no processo do fluxo de corrente.
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Constituição
Um transístor bipolar (com polaridade NPN ou PNP)
é constituído por duas junções PN (junção
base-emissor e junção base-colector) de material
semicondutor (silício ou germânio) e por três
terminais designados por Emissor (E), Base (B) e
Colector (C).
N Material semicondutor com excesso de
electrões livres P Material semicondutor com
excesso de lacunas
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Junções PN internas e símbolos
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Principio de funcionamento
Para que o transístor bipolar conduza é
necessário que seja aplicada na Base uma corrente
mínima (VBE 0,7 Volt), caso contrário não
haverá passagem de corrente entre o Emissor e o
Colector.
Se aplicarmos uma pequena corrente na base o
transístor conduz e pode amplificar a corrente
que passa do emissor para o colector.
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Utilização

• O transístor bipolar pode ser utilizado
• como interruptor electrónico.
• na amplificação de sinais.
• como oscilador.

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Polarização
Para o transístor bipolar poder ser utilizado
com interruptor, como amplificador ou como
oscilador tem que estar devidamente polarizado
através de uma fonte DC. Para o transístor estar
correctamente polarizado a junção PN base
emissor deve ser polarizada directamente e a
junção base colector deve ser polarizada
inversamente. Regra prática O Emissor é
polarizado com a mesma polaridade que o
semicondutor que o constitui. A Base é polarizada
com a mesma polaridade que o semicondutor que a
constitui. O Colector é polarizado com polaridade
contrária à do semicondutor que o constitui.


Emissor Base Colector Emissor Base Colector
P N P N P N
- - -
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Polarização
Emissor Base Colector Emissor Base Colector
P N P N P N
- - -

_

Rc

Rc
Rb Resistência de polarização de base Rc
Resistência de colector ou resistência de carga


Rb
Rb

_


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Representação de tensões e correntes
VCE Tensão colector - emissor VBE Tensão base
emissor VCB Tensão colector - base
IC Corrente de colector IB Corrente de
base IE Corrente de emissor VRE Tensão na
resistência de emissor VRC Tensão na
resistência de colector
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Relação das correntes
Considerando o sentido convencional da corrente e
aplicando a lei dos nós obtemos a seguinte
relação das correntes num transístor bipolar IE
IC IB
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Características técnicas
Utilizando o código alfanumérico do transístor
podem-se obter as suas características técnicas
por consulta de um data book ou de um data sheet
do fabricante. IC É a máxima corrente de
colector que o transístor pode suportar. Se este
parâmetro for excedido o componente poderá
queimar. VCEO Tensão máxima colector emissor
com a base aberta. VCBO Tensão máxima colector
base com o emissor aberto. VEBO Tensão máxima
emissor base com o colector aberto. hFE ou ?
Ganho ou factor de amplificação do transístor.
hFE IC IB Pd Potência máxima de
dissipação. fT Frequência de transição
(frequência para a qual o ganho do transístor é
1 ou seja, o transístor não amplifica mais a
corrente).
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Substituição de transístores por equivalentes

• Num circuito não se pode substituir um transístor
  de silício por um de germânio ou vice versa.
• Também não se pode trocar directamente um
  transístor NPN por um PNP ou vice versa.
• A letra (A, B, C) que pode aparecer no fim do
  código alfanumérico indica sempre
  aperfeiçoamentos ou melhorias em pelo menos um
  dos parâmetros, limites ou características do
  transístor.
• Exemplo O BC548A substitui o BC548.
• O BC548A não substitui o BC548B

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Dissipadores de calor
O uso de dissipadores ou radiadores externos de
calor são quase que obrigatórios nos transístores
que trabalham com potências elevadas de modo a
evitar o sobreaquecimento do componente e a sua
possível destruição.