Process Laboratorium

1
Process Laboratorium

• Byggt för höga krav på
• Partikelrenhet i luften
• Vibrationsnivå
• Säkerhet
• Flexibilitet och servicevänligt

2
Tillämpningar från Process laboratoriet

• GaAs based VCSELs
• InP and GaN based HEMTs
• SiC MESFETs and MOSFETs
• LCD modules
• MMIC amplifier

3
Partikelrenhet och klimatkontroll

• Partiklar
• Klass 1,10,100,1000
• (Partiklar per kubikfot)
• Renrumsklädsel
• heltäckande
• Ventilation
• 520 000 m3/timme
• Klimat kontroll21 C/- 1

4
Minimering av vibrationer

• Processlaboratoriets bärande golv är isolerad
  från övriga huset
• Vibrationskänslig utrustning står på dämpade bord

5
Process Laboratorium 1
6
9 fläkttorn driver luftventilationen via
Plenum-rummet genom högabsorberande
partikelfilter (HEPA) i laboratoriets tak in i
Processlaboratoriet. Återluft genom hål i
golvplattorna
7
9 fläkttorn driver luftventilationen
8
Att konstruera ett mikrochip
Substrat
Kisel Substrat
9
Att konstruera ett Mikrochip
Växa ett oxidskikt
SiO2 (glas)
Si Substrat
10
Att konstruera ett mikrochip
Deponera en resist
Fotokänslig Polymer (Resist)
SiO2 (glas)
Si Substrat
11
Att konstruera ett Mikrochip
Ett mönster skapas mha av en mask

Glasplatta
Metal Mask(Cr)
Fotokänslig Polymer (resist)
SiO2 (glas)
Si Substrat
12
Att konstruera ett Mikrochip
Masken passas ner på resistytan
Metal Mask
Photosensitive Polymer
SiO2 (glas)
Si Substrate
13
Att konstruera ett Mikrochip
Belysning av Polymer med t.ex. UV ljus
Ljus
Metal Mask
Polymer
SiO2 (glas)
Si Substrat
14
Att konstruera ett Mikrochip
Den belysta polymeren har ändrat sin
molekylstruktur (härdats)
Metal Mask
Polymer
SiO2 (glas)
Si Substrate
15
Att konstruera ett Mikrochip
Ta bort masken
Polymer
SiO2 (glas)
Si Substrate
16
Att konstruera ett Mikrochip
Ej belyst polymer kan lösas upp (bort) i en
framkallare
Polymer
SiO2 (glas)
Si Substrate
17
Att konstruera ett Mikrochip
Belägg hela ytan med Aluminium
Polymer
Aluminium
SiO2 (glas)
Si Substrate
18
Att konstruera ett Mikrochip
Lös upp polymeren i Aceton (lift-off)
Aluminium
SiO2 (glas)
Si Substrat
19

• Arbetet är klart!
• Antal masker 1
• Antal process steg 10
• Tidsåtgång 1 arbetsdag

20
InP-MMIC återkopplad Transistor
(HEMT-High Electron Mobility Transistor) (MMIC-Mo
nolitisk Microwave Integrated Circuit) 13 olika
masklager 2 veckors arbete