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Pr

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Th se de Doctorat Troisi me cycle de Physique pr sent e par Mr NZONZOLO Ma tre es Science tude en simulation des effets des param tres macroscopiques sur le ... – PowerPoint PPT presentation

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Title: Pr


1
Thèse de Doctorat Troisième cycle de Physique
présentée par Mr NZONZOLO Maître es Science
Étude en simulation des effets des paramètres
macroscopiques sur le fonctionnement d'une
photopile bifaciale au silicium
2
Étude en simulation de la photopile
- Modélisation de la la photopile
- Caractéristiques courant-tension de la
photopile
- Effet de la résistance shunt
- Effet de la résistance série
- Effet du niveau d'éclairement
Effet de la résistance de charge sur la vitesse
de Recombinaison a la jonction
Éclairement par la face avant
Éclairement par la face arrière
Éclairement Simultané
3
- Densité de courant
- Phototension
- Vitesse de recombinaison et Résistance de
charge
- Caractéristiques courant - tension
- Effet de la résistance shunt et série sur la
vitesse de recombinaison
Détermination de la longueur de diffusion et de
la vitesse de recombinaison intrinsèque à la
jonction
Conclusion et Perspectives
4
Modèles Électriques et Modélisations
5
Modèle de simulation de la diode
6
Modèle de simulation de la photopile sous Simulink
7
Caractéristiques courant-tension de la photopile
8
Effets de la résistance Shunt et la résistance
série
9
Effet de la résistance shunt et Série sur la
puissance de la photopile
10
Effet du niveau déclairement
11
Effet de la résistance de charge sur la vitesse
de Recombinaison à la jonction
12
Densité de courant
13
Densité de courant
14
Phototension
15
Phototension
16
Résistance de charge et vitesse de recombinaison
à la jonction
17
Vitesse de recombinaison à la jonction
18
Phototension en fonction de la résistance de
charge
19
Phototension en fonction de la résistance de
charge
20
Photcourant en fonction de la résistance de charge
21
Photcourant en fonction de la résistance de charge
22
Caractéristiques Courant Tension
23
Caractéristiques Courant Tension
24
Vitesse de recombinaison et Résistance de charge
Rch30O Sj106 cm/s
Rch100O Sj1500cm/s
25
Vitesse de recombinaison et Résistance de charge
Rch500O Sj1.479x104 cm/s
Rch800O Sj3.235x103 cm/s
26
Vitesse de recombinaison et Résistance de charge
Rch150 O Sj676 cm/s
Rch50O Sj2.95x103 cm/s
27
Effet de la résistance shunt sur la vitesse de
recombinaison à la jonction
28
Effet de la résistance shunt sur la vitesse de
recombinaison à la jonction
29
Effet de la résistance série sur la vitesse de
recombinaison à la jonction
30
Effet de la résistance série sur la vitesse de
recombinaison à la jonction
31
Détermination de la longueur de diffusion et de
la vitesse de recombinaison intrinsèque à la
jonction
Saisie des Valeurs Expérimentales
32
Résultats
33
Caractéristiques expérimentales
34
Conclusion
- Cohérence des résultats
- Liens étroits entre paramètres macroscopiques
et microscopiques
- Assimilation de la vitesse de recombinaison à
la résistance de charge
Perspectives
- Contribution de lémetteur
- Élaboration dune théorie permettant de
détecter des sites ayant subi des modifications
35
Merci pour votre Aimable Attention
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