Title: SEMICONDUCTORES F
1SEMICONDUCTORESFísica 1º Ingeniería
InformáticaJosé Luis Mincholé
2Teoría de bandas. Conductores y aislantes
1. SEMICONDUCTORES. ELECTRONES Y HUECOS
silicio
2.1 Semiconductores intrínsecos
n p nj (T)
3Semiconductores intrínsecosBandas de energía
n p
n
p
4Semiconductores intrínsecos
n p nj (T)
5Semiconductores tipo N
IMPUREZAS DONANTES (grupo V)
fósforo
ngtp
arsénico
nNd
6Semiconductores tipo NBandas de energía
7Semiconductores tipo P
IMPUREZAS ACEPTANTES (grupo III-A)
pgtn
galio
Aluminio
pNa
8Semiconductores tipo PBandas de energía
9Semiconductores tipo N y P
ngtp
nltp
10La unión N-P
a) En equilibrio (sin polarizar)
b) Con polarización directa
c) Con polarización inversa
11Unión N-P sin polarizar
EQUILIBRIO
Intensidad0
12Unión N-P sin polarizar
Carga espacial
13Unión N-P sin polarizar
ddp de contacto
14Unión N-P sin polarizar
- Difusión de portadores mayoritarios
- Aparición de una ddp entre N() y P(-)
- Arrastre de portadores minoritarios
ddp contacto Vo
EQUILIBRIO
Alineación NF
Intensidad0
15Unión N-P con polarización directa
Desalineación NF
Intensidad, I de P ? N, creciente con V
16Unión N-P con polarización directa
ddp en la unión
17Unión N-P con polarización directa
- Intensidad de P ? a N creciente con V
- Menor ddp en la unión
- Se favorece la difusión
- Se dificulta el arrastre
- Pequeña resistencia eléctrica
18Unión N-P con polarización inversa
Desalineación NF
Intensidad, I de N ? P, no depende de V
19Unión N-P con polarización inversa
ddp en la unión
20Unión N-P con polarización inversa
- Intensidad de N ? a P no depende de V y es casi
cero - Mayor ddp en la unión
- Se favorece el arrastre
- Se dificulta la difusión
- Resistencia eléctrica muy grande
21DIODOS
Símbolo y polarización
22Modelos de diodos 1
23Modelos de diodos 2
24Diodo tunel
25Diodo zener
26Diodos fotoemisores LED
Semiconductores Color
AsGa infrarrojo
PGa verde
AsPGa diferentes según proporción de As y P
27Transistores de uniónN-P-N
28Transistores de uniónP-N-P
29Puerta NOT
30El transistor JFET
Canal N
31MOSFET empobrecimiento
Canal P
32Circuito básico MOSFET empobrecimiento canal P
33MOSFET enriquecimiento
Canal N
34MOSFET enriquecimiento
Canal P